过充電(diàn)是指電(diàn)池经一定充電(diàn)过程充满電(diàn)后，再继续充電(diàn)的行為(wèi)，如Ni-Cd電(diàn)池，过充電(diàn)产生如下反应： 正极：4OH- - 4e 2H2O + O2 负极：2Cd + O2 2CdO 由于在设计时，负极容量比正极容量要高。因此，正极产生的氧气透过隔膜纸与负极产生的镉复合。故一般情况下，電(diàn)池应充分(fēn)避免过充電(diàn)情况的发生，中國(guó)電(diàn)池网建议锂電(diàn)池组都需要加上保护板，且電(diàn)池保护板应具备过充，过放功能(néng)。