欢迎访问深圳市德鸿晟自动化科(kē)技有(yǒu)限公司官网!

德鸿晟自动化

咨询热線(xiàn):13924609129

联系我们

深圳市德鸿晟自动化科(kē)技有(yǒu)限公司

地址:深圳市宝安區(qū)松岗东路10号华丰科(kē)技园7栋1楼

传真:0755-27068846

联系人:马小(xiǎo)姐 13924609129

邮箱:[email protected]

什么是过充電(diàn)对電(diàn)池性能(néng)有(yǒu)何影响?

人气:4184发表时间:2018-05-11

过充電(diàn)是指電(diàn)池经一定充電(diàn)过程充满電(diàn)后,再继续充電(diàn)的行為(wèi),如Ni-Cd電(diàn)池,过充電(diàn)产生如下反应: 正极:4OH- - 4e 2H2O + O2 负极:2Cd + O2 2CdO 由于在设计时,负极容量比正极容量要高。因此,正极产生的氧气透过隔膜纸与负极产生的镉复合。故一般情况下,電(diàn)池应充分(fēn)避免过充電(diàn)情况的发生,中國(guó)電(diàn)池网建议锂電(diàn)池组都需要加上保护板,且電(diàn)池保护板应具备过充,过放功能(néng)。

在線(xiàn)客服

立即咨询13924609129